رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU4105ZTRL
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU4105ZTRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251AA
المخزون:
12913953
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU4105ZTRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251AA
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IRFU4105
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVD5C688NLT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2450
DiGi رقم الجزء
NVD5C688NLT4G-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFR2407TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6094
DiGi رقم الجزء
IRFR2407TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD30N6LF6AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
8
DiGi رقم الجزء
STD30N6LF6AG-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFP22N60K
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
SI7192DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
IRL630STRL
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
