رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU9014
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU9014-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 5.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
المخزون:
12912575
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU9014 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
270 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251AA
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IRFU9
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFU9014
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU9024NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
IRFU9024NPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRFU9014PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1552
DiGi رقم الجزء
IRFU9014PBF-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFK34N80
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
IRFI9Z14GPBF
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
