رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFZ10
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFZ10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12912558
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFZ10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFZ10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
*IRFZ10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFZ10PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFZ10PBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
MTP3055VL
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
815
DiGi رقم الجزء
MTP3055VL-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFZ14PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
57829
DiGi رقم الجزء
IRFZ14PBF-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFU320
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
SI7390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
