رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL3502L
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL3502L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 110A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262-3
المخزون:
12914176
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL3502L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 7V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 64A, 7V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4700 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRL3502
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRL3502L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7111EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
IXFX48N60P
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247-3
SI8435DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
