رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL530STRL
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL530STRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12913770
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL530STRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
930 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRL530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
21055
DiGi رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRL520NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2858
DiGi رقم الجزء
IRL520NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI1305DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
IRFZ44PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
SI7136DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
