رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL530STRRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL530STRRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12914546
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL530STRRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
930 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRL530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
21055
DiGi رقم الجزء
IRL530NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRL520NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2858
DiGi رقم الجزء
IRL520NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7892BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8
IXFT36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO268
