رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1031X-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1031X-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A
المخزون:
12914734
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1031X-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
155mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±6V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-75A
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
SI1031
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDY101PZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
777
DiGi رقم الجزء
FDY101PZ-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
SI7230DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
