رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1032R-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1032R-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 140mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
المخزون:
16662 قطع جديدة أصلية في المخزون
12915300
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1032R-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
140mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±6V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-75A
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
رقم المنتج الأساسي
SI1032
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI1032RT1GE3
SI1032R-T1-GE3CT
SI1032R-T1-GE3TR
SI1032R-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR9310TRR
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO