رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1072X-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
المخزون:
12913917
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1072X-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
280 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
236mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-89 (SOT-563F)
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SI1072
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI1070X-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
923
DiGi رقم الجزء
SI1070X-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SSM6K202FE,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
21141
DiGi رقم الجزء
SSM6K202FE,LF-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
