رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1427EDH-T1-BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1427EDH-T1-BE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2A (Ta), 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
المخزون:
12945877
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1427EDH-T1-BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta), 2A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
64mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±8V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-70-6
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
SI1427
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SI1427EDH-T1-BE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
IRF9Z34PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
IRF630PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB