SI1539CDL-T1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI1539CDL-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI1539CDL-T1-GE3-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SC-70-6

المخزون:

1135 قطع جديدة أصلية في المخزون
12913773
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SI1539CDL-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
700mA, 500mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
388mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
340mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-70-6
رقم المنتج الأساسي
SI1539

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI1539CDL-T1-GE3CT
SI1539CDL-T1-GE3DKR
SI1539CDL-T1-GE3-DG
SI1539CDL-T1-GE3TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI4562DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

vishay-siliconix

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4200DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI5504BDC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8