رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI2319CDS-T1-BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI2319CDS-T1-BE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 3.1A (Ta), 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
12955038
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI2319CDS-T1-BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
77mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
595 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SI2319
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SI2319CDS-T1-BE3TR
742-SI2319CDS-T1-BE3CT
742-SI2319CDS-T1-BE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIE854DF-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
RJK0230DPA-WS#J5A
N-CHANNEL POWER MOSFET
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
