الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI2331DS-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI2331DS-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12914397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI2331DS-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
48mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
780 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
710mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SI2331
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMP2305UQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
DMP2305UQ-7-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRLML2244TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
14700
DiGi رقم الجزء
IRLML2244TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMG3415UQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3166
DiGi رقم الجزء
DMG3415UQ-7-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMP2305U-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
47979
DiGi رقم الجزء
DMP2305U-7-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI3415-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
20874
DiGi رقم الجزء
SI3415-TP-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLIZ24GPBF
MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
IRL540STRL
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFBE20STRL
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
SI4176DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO