SI3443BDV-T1-E3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI3443BDV-T1-E3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI3443BDV-T1-E3-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

المخزون:

6988 قطع جديدة أصلية في المخزون
12911580
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SI3443BDV-T1-E3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
SI3443

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI3443BDV-T1-E3TR
SI3443BDV-T1-E3DKR
SI3443BDV-T1-E3CT
SI3443BDVT1E3

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFH36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD

vishay-siliconix

IRF740LCL

MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

vishay-siliconix

IRLR024TR

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRFI9630GPBF

MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3