رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI3443CDV-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI3443CDV-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5.97A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
3901 قطع جديدة أصلية في المخزون
12965823
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI3443CDV-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.97A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.4 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
610 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
SI3443
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI3443CDVT1GE3
SI3443CDV-T1-GE3DKR
SI3443CDV-T1-GE3CT
SI3443CDV-T1-GE3-DG
SI3443CDV-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4C075044K4S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T