رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI3460DDV-T1-BE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI3460DDV-T1-BE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta), 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12986534
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI3460DDV-T1-BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
666 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SI3460DDV-T1-BE3CT
742-SI3460DDV-T1-BE3TR
742-SI3460DDV-T1-BE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMJ65H430SCTI
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
DMP2016UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI4155DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
