رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI3879DV-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI3879DV-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12918512
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI3879DV-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
LITTLE FOOT®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
480 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
SI3879
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC634P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5000
DiGi رقم الجزء
FDC634P-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHD1K4N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
SI4688DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
