SI4228DY-T1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI4228DY-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI4228DY-T1-GE3-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

3765 قطع جديدة أصلية في المخزون
12918133
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SI4228DY-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790pF @ 12.5V
الطاقة - الحد الأقصى
3.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4228

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4228DY-T1-GE3CT
SI4228DYT1GE3
SI4228DY-T1-GE3TR
SI4228DY-T1-GE3DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI5903DC-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

vishay-siliconix

SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC

vishay-siliconix

SI5944DU-T1-E3

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET

vishay-siliconix

SI5908DC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8