رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4228DY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4228DY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
3765 قطع جديدة أصلية في المخزون
12918133
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4228DY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
790pF @ 12.5V
الطاقة - الحد الأقصى
3.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4228
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4228DY-T1-GE3CT
SI4228DYT1GE3
SI4228DY-T1-GE3TR
SI4228DY-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET