رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4490DY-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4490DY-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
3553 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914480
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4490DY-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.85A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI4490
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4490DYT1E3
SI4490DY-T1-E3TR
SI4490DY-T1-E3CT
SI4490DY-T1-E3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
IRLU024
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
