رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4936ADY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4936ADY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12915547
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4936ADY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4936
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM4936DCS RLG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
26835
DiGi رقم الجزء
TSM4936DCS RLG-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS6930B
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
FDS6930B-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN3A06DN8TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1033
DiGi رقم الجزء
ZXMN3A06DN8TA-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7958DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO8
SI5915DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI3529DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6TSOP
