رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI5424DC-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI5424DC-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
المخزون:
12966320
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI5424DC-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
SI5424
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI5424DC-T1-E3DKR
SI5424DC-T1-E3CT
SI5424DCT1E3
SI5424DC-T1-E3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI5424DC-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4706
DiGi رقم الجزء
SI5424DC-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NTHS4166NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
461
DiGi رقم الجزء
NTHS4166NT1G-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
SI5402BDC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
