رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI5471DC-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI5471DC-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
المخزون:
16150 قطع جديدة أصلية في المخزون
12912688
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI5471DC-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2945 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
SI5471
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI5471DC-T1-GE3TR
SI5471DCT1GE3
SI5471DC-T1-GE3DKR
SI5471DC-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BVSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
SI4874BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI1013R-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A