رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI5513CDC-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI5513CDC-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
المخزون:
12920618
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI5513CDC-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A, 3.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.2nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
285pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
3.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
رقم المنتج الأساسي
SI5513
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI5513CDCT1GE3
SI5513CDC-T1-GE3CT
SI5513CDC-T1-GE3DKR
SI5513CDC-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIA917DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
