رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI5855DC-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI5855DC-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
المخزون:
12965511
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI5855DC-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
SI5855
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI5855DC-T1-E3TR
SI5855DC-T1-E3DKR
SI5855DCT1E3
SI5855DC-T1-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJE138K_R1_00001
SOT-523, MOSFET
DMN3028LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
2N7002K-AU_R1_000A2
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
