رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7119DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7119DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
المخزون:
32865 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914112
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7119DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.05Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
666 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8
رقم المنتج الأساسي
SI7119
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7119DN-T1-GE3CT
SI7119DN-T1-GE3DKR
SI7119DN-T1-GE3TR
SI7119DNT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
