رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7216DN-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7216DN-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
المخزون:
17865 قطع جديدة أصلية في المخزون
12913564
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7216DN-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
20.8W
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8 Dual
رقم المنتج الأساسي
SI7216
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7216DNT1E3
SI7216DN-T1-E3TR
SI7216DN-T1-E3DKR
SI7216DN-T1-E3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4288DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SOIC
SI4948BEY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
SI7922DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212