رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7309DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7309DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
المخزون:
1995 قطع جديدة أصلية في المخزون
12915531
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7309DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
115mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8
رقم المنتج الأساسي
SI7309
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7309DN-T1-GE3TR
SI7309DN-T1-GE3-DG
SI7309DNT1GE3
SI7309DN-T1-GE3CT
SI7309DN-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI7309DN-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4617
DiGi رقم الجزء
SI7309DN-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ48RSPBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO263
SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
