رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7374DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7374DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 5W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12912449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7374DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 23.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5500 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SI7374
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD17577Q5AT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
2866
DiGi رقم الجزء
CSD17577Q5AT-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17552Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
4929
DiGi رقم الجزء
CSD17552Q5A-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17577Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
14744
DiGi رقم الجزء
CSD17577Q5A-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFP354
MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3
IXFR32N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
IXFK180N085
MOSFET N-CH 85V 180A TO264AA