رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7613DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7613DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
المخزون:
52730 قطع جديدة أصلية في المخزون
12913391
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7613DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2620 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8
رقم المنتج الأساسي
SI7613
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7613DN-T1-GE3TR
SI7613DNT1GE3
SI7613DN-T1-GE3DKR
SI7613DN-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFIB7N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
SI7110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
SI5481DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
