الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7686DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7686DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 5W (Ta), 37.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
327 قطع جديدة أصلية في المخزون
12915589
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7686DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1220 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 37.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SI7686
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SI7686DP
مخططات البيانات
SI7686DP-T1-GE3
ورقة بيانات HTML
SI7686DP-T1-GE3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7686DP-T1-GE3-DG
SI7686DP-T1-GE3TR
SI7686DP-T1-GE3DKR
SI7686DP-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI7686DP-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2984
DiGi رقم الجزء
SI7686DP-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STL56N3LLH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2074
DiGi رقم الجزء
STL56N3LLH5-DG
سعر الوحدة
0.39
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17302Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
19870
DiGi رقم الجزء
CSD17302Q5A-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17527Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
12150
DiGi رقم الجزء
CSD17527Q5A-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17522Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
13241
DiGi رقم الجزء
CSD17522Q5A-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
IRFZ24STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
SIHP33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8