رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7790DP-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7790DP-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
12920211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7790DP-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SI7790
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7790DP-T1-GE3TR
SI7790DPT1GE3
SI7790DP-T1-GE3CT
SI7790DP-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIR418DP-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
22680
DiGi رقم الجزء
SIR418DP-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SI8424CDB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT