رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7880ADP-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7880ADP-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
المخزون:
8624 قطع جديدة أصلية في المخزون
12912961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7880ADP-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SI7880
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7880ADP-T1-E3DKR
SI7880ADP-T1-E3TR
SI7880ADP-T1-E3CT
SI7880ADPT1E3
SI7880ADP-T1-E3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4464DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
IRF840LCSTRL
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
