رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7904DN-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7904DN-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
المخزون:
12918244
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7904DN-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 935µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8 Dual
رقم المنتج الأساسي
SI7904
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI7904BDN-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4384
DiGi رقم الجزء
SI7904BDN-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
SIA914DJ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
