رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI7913DN-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI7913DN-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
المخزون:
1751 قطع جديدة أصلية في المخزون
12911528
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI7913DN-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
37mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® 1212-8 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8 Dual
رقم المنتج الأساسي
SI7913
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI7913DN-T1-GE3-DG
SI7913DN-T1-GE3CT
SI7913DNT1GE3
SI7913DN-T1-GE3TR
SI7913DN-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MKE38P600TLB-TRR
MOSFET ISOPLUS-SMPD
SI4561DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
SI5948DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET