رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI8409DB-T1-E1
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI8409DB-T1-E1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
المخزون:
7976 قطع جديدة أصلية في المخزون
12921422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI8409DB-T1-E1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.47W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-Microfoot
العبوة / العلبة
4-XFBGA, CSPBGA
رقم المنتج الأساسي
SI8409
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
SI8409DB-T1-E1DKR
SI8409DB-T1-E1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQAF11N90
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DI9952T
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
