رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI8466EDB-T2-E1
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI8466EDB-T2-E1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
وصف تفصيلي:
N-Channel 8 V 3.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
المخزون:
4012 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920600
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI8466EDB-T2-E1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
8 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
43mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 4 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-Microfoot
العبوة / العلبة
4-UFBGA, WLCSP
رقم المنتج الأساسي
SI8466
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI8466EDB-T2-E1TR
SI8466EDB-T2-E1CT
SI8466EDB-T2-E1DKR
SI8466EDBT2E1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
SIHF18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
