رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI9435BDY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI9435BDY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
2386 قطع جديدة أصلية في المخزون
12920159
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI9435BDY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
42mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI9435
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI9435BDY-T1-GE3CT
SI9435BDY-T1-GE3-DG
SI9435BDY-T1-GE3TR
SI9435BDY-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MCQ9435-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
13427
DiGi رقم الجزء
MCQ9435-TP-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS9435A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
40390
DiGi رقم الجزء
FDS9435A-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
SISS70DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
