رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA408DJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA408DJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
المخزون:
12787373
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA408DJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6
رقم المنتج الأساسي
SIA408
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA408DJ-T1-GE3CT
SIA408DJT1GE3
SIA408DJ-T1-GE3TR
SIA408DJ-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMPB33XN,115
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
141074
DiGi رقم الجزء
PMPB33XN,115-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SIA400EDJ-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
151951
DiGi رقم الجزء
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
V30432-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
