رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA472EDJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA472EDJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
المخزون:
12914893
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA472EDJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1265 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
19.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Single
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6
رقم المنتج الأساسي
SIA472
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR9014TRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IRFIBC30G
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
SI9435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
