رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA811ADJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA811ADJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
2765 قطع جديدة أصلية في المخزون
12917397
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA811ADJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
LITTLE FOOT®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
345 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA811
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA811ADJ-T1-GE3DKR
SIA811ADJ-T1-GE3-DG
SIA811ADJ-T1-GE3TR
SIA811ADJ-T1-GE3CT
SIA811ADJT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI2392DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
