رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA907EDJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA907EDJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V SMD
وصف تفصيلي:
Mosfet Array
المخزون:
12916654
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA907EDJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
-
تكوين
-
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
-
العبوة / العلبة
-
حزمة جهاز المورد
-
رقم المنتج الأساسي
SIA907
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIA923EDJ-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
6757
DiGi رقم الجزء
SIA923EDJ-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
SQJ980AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
SI4388DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
