رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA911ADJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA911ADJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
12916274
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA911ADJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
345pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
6.5W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA911
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQJ204EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
SIA918EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
