رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA936EDJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA936EDJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
12787354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA936EDJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
7.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA936
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA936EDJ-T1-GE3CT
SIA936EDJ-T1-GE3DKR
SIA936EDJ-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIA906EDJ-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
119578
DiGi رقم الجزء
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIA912DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
