رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIDR626LDP-T1-RE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIDR626LDP-T1-RE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
المخزون:
17508 قطع جديدة أصلية في المخزون
12945161
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIDR626LDP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45.6A (Ta), 2.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5900 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8DC
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
رقم المنتج الأساسي
SIDR626
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIDR626LDP-T1-RE3TR
742-SIDR626LDP-T1-RE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
