رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIE822DF-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIE822DF-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
المخزون:
12786430
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIE822DF-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
10-PolarPAK® (S)
العبوة / العلبة
10-PolarPAK® (S)
رقم المنتج الأساسي
SIE822
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIE822DF-T1-GE3CT
SIE822DF-T1-GE3TR
SIE822DF-T1-GE3DKR
SIE822DFT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHG22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
