رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIE868DF-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIE868DF-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
المخزون:
12919857
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIE868DF-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6100 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
10-PolarPAK® (L)
العبوة / العلبة
10-PolarPAK® (L)
رقم المنتج الأساسي
SIE868
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIE868DFT1GE3
SIE868DF-T1-GE3CT
SIE868DF-T1-GE3DKR
SIE868DF-T1-GE3TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIB800EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
