رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA14N60E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA14N60E-GE3-DG
وصف:
N-CHANNEL 600V
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
1696 قطع جديدة أصلية في المخزون
12987232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA14N60E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1205 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
742-SIHA14N60E-GE3CT-DG
742-SIHA14N60E-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR
742-SIHA14N60E-GE3CTINACTIVE
742-SIHA14N60E-GE3TR-DG
742-SIHA14N60E-GE3CT
742-SIHA14N60E-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJQ1916_R1_00201
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMT64M1LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMN3066L-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
