رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA15N65E-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA15N65E-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
12787220
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA15N65E-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2460 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SIHA15
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCPF290N80
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
7634
DiGi رقم الجزء
FCPF290N80-DG
سعر الوحدة
3.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHB15N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
SUM33N20-60P-E3
MOSFET N-CH 200V 33A TO263
SQM110N05-06L_GE3
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
