رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA22N60EL-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA22N60EL-E3-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
12917377
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA22N60EL-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
EL
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
197mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1690 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SIHA22
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHW73N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD
SIHG33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
SI3447CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP