رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIHA5N80AE-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIHA5N80AE-GE3-DG
وصف:
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
المخزون:
958 قطع جديدة أصلية في المخزون
12949160
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIHA5N80AE-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tube
سلسلة
E
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
321 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
29W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
742-SIHA5N80AE-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3129DV-T1-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
